용인 푸르지오 원클러스터 2단지 분양가 안내
-스트레스 DSR 3단계 비적용 단지로 막차 수요 몰려
-용인 반도체 클러스터 개발 급물살... 처인구 1년 만에 땅값 4.62% 급등
-분양가 더 오르기 전 선점하자! 랜드마크 위주 완판 이어져
-반도체 수혜에 가격 경쟁력 갖춘 ‘용인 푸르지오 원클러스터 2·3단지’ 선착순 돌입
경기 용인시 처인구가 또 다시 들썩이고 있다. 먼저 착공에 돌입한 SK하이닉스에 이어 삼성전자까지 국내 반도체 투톱의 조 단위 투자가 가시화되면서 부동산 시장도 덩달아 뜨거워지고 있다는 분석이다. 특히 수도권 분양가가 해마다 억 단위로 상승하는 가운데 더 오르기 전 랜드마크를 선점하려는 수요자들의 움직임도 분주해지고 있다.
실제 삼성전자가 투자 계획을 밝힌 용인 처인구 이동·남사읍 일대 ‘첨단시스템반도체 클러스터 국가산업단지’ 개발이 급물살을 탔다. 한국토지주택공사(LH)는 지난달 총 1조3,836억원 규모의 ‘1공구 조성공사’ 입찰을 공고하며, 사업자 선정에 들어갔다. 산업단지 총 규모는 728만㎡로 이번 공사는 이 중 494㎡ 규모의 부지를 조성하는 사업이며, 기간은 약 71개월로 계획돼 있다.
향후 첨단시스템반도체 클러스터 국가산업단지는 삼성전자가 총 360조원을 투자해 총 6기의 팹(Fab·반도체 공장)을 설립하고, 글로벌 반도체 시장의 중심으로 만들겠다는 계획이다. 제조공장 설립에 따른 3기의 발전소, 60개 이상의 소부장 협력기업 등도 입주할 예정이다.
국내 반도체 기업 투톱으로 꼽히는 SK하이닉스는 이미 착공에 들어갔다. 원삼면 일대 조성 중인 ‘용인 반도체 클러스터 일반산업단지’는 지난 2월, 415만㎡ 부지에서 1기 팹(Fab·반도체 공장) 착공에 들어갔고, 나머지 3개 팹도 순차적으로 건설할 방침이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 일반산업단지를 향후 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램 생산기지로 만든다는 계획이다.
◆ 반도체 공격 투자 예고, 처인구 땅값 덩달아 ‘급등’
이에 그치지 않고, 국내 반도체 기업 투톱으로 불리는 삼성전자, SK하이닉스 모두 더 공격적인 반도체 투자에 나서겠다고 밝혔다. 최근 공시된 분기 보고서에 따르면 삼성전자는 올 1분기 연구개발비 9조348억원, 시설투자비로 11조9,983억원을 각각 집행했다. 이는 전년보다 15.53% 증가한 규모로 역대 1분기 기준 최대 투자다. 특히 반도체 사업을 하는 디바이스솔루션(DS) 부문 시설투자액만 10조9,480억원을 집행했으며, 이는 전년 동기(9조663억원)보다 13.3% 증가한 수치다.
SK하이닉스 역시 연구개발비와 시설투자액을 전년 동기 대비 최대 두 배 가량 늘렸다. 고대역폭메모리(HBM) 붐을 타고 역대 최대 실적을 올린 만큼, 공격적 투자로 글로벌 HBM 수요에 대응하겠다는 전략으로 분석된다. 자세하게는 올 1분기 연구개발비로 1조5,440억원, 시설투자액으로 5조8,840억 원을 집행했다. 전년 동기 대비 각각 39.2%, 99.9% 급증한 수치다.
업계 관계자는 “치열해지는 글로벌 반도체 경쟁에서 앞서나가기 위해 삼성전자와 SK하이닉스 모두 더욱 공격적인 투자를 단행하고 있고, 반도체 클러스터가 개발됨에 따라 용인 처인구 지역 가치가 크게 오르고 있다”며 “특히 부동산 시장이 뜨거워지고 있는데, 반도체 클러스터 미래가치를 모두 누릴 수 있는 랜드마크를 선점하려는 경쟁이 치열해지는 것으로 보인다”고 말했다.